课堂汇报(论文解读)的PPT注意事项

素材和思路来源于之前大创项目的收获的IC工艺课的总结。

注意事项

• PPT每页最下方给出参考文献，字体要区别于PPT内容的字体。但若参考文献总量不高，可以将参考文献最后总结为一页PPT展示。
• PPT中所用到的图、表、数据等均需给出出处(非自制的图和表)。
• 考虑到PPT展示效果，引用的图和表和通过圈圈或箭头指向来强调指定数据或特征。
• 一般会在开始的第一页进行国内外研究现状的分析，不需要过分考虑时间，可以留给观众观看，但是汇报的必要组成部分。
• 每一页PPT不要有过多的文字，要文图兼备，注意PPT是演示文稿不是汇报的稿子！
• 不要念PPT而要讲PPT，因此PPT上要做好思路的引导和逻辑的理顺。
• 描述时要注意整体逻辑:提出问题，解决思路，实验结果(新方案效果)。

氢原子模型和类氢原子模型

灵感来自半导体物理课程的课后题，发现推不出来表达式，上网查阅资料后做此记录，与大家分享。

氢原子模型

基于量子力学的理论，我们根据玻尔三大假设书写方程。

• 定态假设：原子系统只能处于一系列不连续的分立的能量状态 $E_{1}$ 、 $E_{2}$ 、 $E_{3}$ ……，在这些状态下，电子虽做加速运动，但不向外辐射能量，称这样的状态为定态。
• 跃迁假设：电子从 $E_{m}$ 能级跃迁到 $E_{n}$ 能级所需的能量满足 $h\nu=E_{n}-E_{m}$ 。
• 轨道角动量量子化假设：在氢原子中，电子轨道需满足 $2\pi r\cdot m_{e} v = n h$ ，即电子只能在轨道角动量等于约化普朗克常数 $\hbar$ 的整数倍的轨道上运动。

为什么MOS管常用(100)晶向的晶圆，BJT常用(111)晶向的晶圆？

问题来源于半导体物理课程的第一章作业

为什么MOS管常用(100)晶向的晶圆来制作器件？

• MOSFET的工作电流为表面多子的漂移电流，其大小与载流子的表面迁移率(mobility)有关，其中(100)晶向的界面态密度最低，表面迁移率最高，可以使MOSFET有较高的工作电流。

• (100)晶向的较低的界面态和悬挂键可以减小MOSFET的阈值电压$V_{TH}$。

• (100)晶向的缺陷密度最低，可以减小$V_{TH}$的漂移。

• (100)晶向粒子扩散速度慢，有利于MOSFET较小氧化层厚度的生长。

为什么BJT管常用(111)晶向的晶圆来制作器件？

祝老师教师节快乐！暨利用传输门做二选一选择器的CMOS电路分析

祝天下的老师们教师节快乐！祝老师工作顺利，万事如意！

利用传输门做二选一选择器的CMOS电路分析

灵感来源于今天的数字逻辑课程，因为对学数电时的传输门的印象不清了，然后分析传输门的CMOS电路时绕晕了，故做此记录。

注：分析传输门的CMOS电路时，不需要关注MOS管是否工作在饱和区，只需关注导电沟道是否产生即可。

有效质量$m^{\ast}$求解及$\vec{a}\times(\vec{b}\times\vec{c})$求解

有效质量$m^{\ast}$求解

今天上半导体物理课程时，忘记了有效质量的推导过程，主要是除一个$\hbar$凑牛顿第二定理表达式那一步忘记了，回看固体物理笔记复习后做此记录，与大家分享。

符号说明

$\hbar$为约化普朗克常数

提问：

为什么考虑了MOS管的体效应后，其小信号模型电阻减小？

我的思考

• 在MOS管模型中，体效应是等效为了一个独立电流源，大小为: $$\begin{aligned} I = g_{mb} V_{BS} \end{aligned}$$

同时它的效果在小信号模型中也能用一个线性电阻表示,因此与原来的VCCS的$R_{eq}$形成并联结构，对外

课堂汇报(论文解读)的PPT注意事项

素材和思路来源于之前大创项目的收获的IC工艺课的总结。

注意事项

• PPT每页最下方给出参考文献，字体要区别于PPT内容的字体。但若参考文献总量不高，可以将参考文献最后总结为一页PPT展示。
• PPT中所用到的图、表、数据等均需给出出处(非自制的图和表)。
• 考虑到PPT展示效果，引用的图和表和通过圈圈或箭头指向来强调指定数据或特征。
• 一般会在开始的第一页进行国内外研究现状的分析，不需要过分考虑时间，可以留给观众观看，但是汇报的必要组成部分。
• 每一页PPT不要有过多的文字，要文图兼备，注意PPT是演示文稿不是汇报的稿子！
• 不要念PPT而要讲PPT，因此PPT上要做好思路的引导和逻辑的理顺。
• 描述时要注意整体逻辑:提出问题，解决思路，实验结果(新方案效果)。

氢原子模型和类氢原子模型

灵感来自半导体物理课程的课后题，发现推不出来表达式，上网查阅资料后做此记录，与大家分享。

氢原子模型

基于量子力学的理论，我们根据玻尔三大假设书写方程。

• 定态假设：原子系统只能处于一系列不连续的分立的能量状态 $E_{1}$ 、 $E_{2}$ 、 $E_{3}$ ……，在这些状态下，电子虽做加速运动，但不向外辐射能量，称这样的状态为定态。
• 跃迁假设：电子从 $E_{m}$ 能级跃迁到 $E_{n}$ 能级所需的能量满足 $h\nu=E_{n}-E_{m}$ 。
• 轨道角动量量子化假设：在氢原子中，电子轨道需满足 $2\pi r\cdot m_{e} v = n h$ ，即电子只能在轨道角动量等于约化普朗克常数 $\hbar$ 的整数倍的轨道上运动。

为什么MOS管常用(100)晶向的晶圆，BJT常用(111)晶向的晶圆？

问题来源于半导体物理课程的第一章作业

为什么MOS管常用(100)晶向的晶圆来制作器件？

• MOSFET的工作电流为表面多子的漂移电流，其大小与载流子的表面迁移率(mobility)有关，其中(100)晶向的界面态密度最低，表面迁移率最高，可以使MOSFET有较高的工作电流。

• (100)晶向的较低的界面态和悬挂键可以减小MOSFET的阈值电压$V_{TH}$。

• (100)晶向的缺陷密度最低，可以减小$V_{TH}$的漂移。

• (100)晶向粒子扩散速度慢，有利于MOSFET较小氧化层厚度的生长。

为什么BJT管常用(111)晶向的晶圆来制作器件？

祝老师教师节快乐！暨利用传输门做二选一选择器的CMOS电路分析

祝天下的老师们教师节快乐！祝老师工作顺利，万事如意！

利用传输门做二选一选择器的CMOS电路分析

灵感来源于今天的数字逻辑课程，因为对学数电时的传输门的印象不清了，然后分析传输门的CMOS电路时绕晕了，故做此记录。

注：分析传输门的CMOS电路时，不需要关注MOS管是否工作在饱和区，只需关注导电沟道是否产生即可。

有效质量$m^{\ast}$求解及$\vec{a}\times(\vec{b}\times\vec{c})$求解

有效质量$m^{\ast}$求解

今天上半导体物理课程时，忘记了有效质量的推导过程，主要是除一个$\hbar$凑牛顿第二定理表达式那一步忘记了，回看固体物理笔记复习后做此记录，与大家分享。

符号说明

$\hbar$为约化普朗克常数

提问：

为什么考虑了MOS管的体效应后，其小信号模型电阻减小？

我的思考

• 在MOS管模型中，体效应是等效为了一个独立电流源，大小为: $$\begin{aligned} I = g_{mb} V_{BS} \end{aligned}$$

同时它的效果在小信号模型中也能用一个线性电阻表示,因此与原来的VCCS的$R_{eq}$形成并联结构，对外