50个问题回顾IC制造
本文是笔者复习
半导体材料及IC工艺原理(双语)
课程时的复习笔记,参考教材是半导体制造技术导论:第2版 (萧宏)
,授课老师是马瑶老师。
1. 为什么有工艺漂移?
在工艺还未成熟或新引进了一组新的仪器设备时,整体的成品率不会很高。但随着生产的进行,降低成品率的因素被发现并通过及时地纠正,成品率会不断上升然后达到稳定。
本文是笔者复习
半导体材料及IC工艺原理(双语)
课程时的复习笔记,参考教材是半导体制造技术导论:第2版 (萧宏)
,授课老师是马瑶老师。
在工艺还未成熟或新引进了一组新的仪器设备时,整体的成品率不会很高。但随着生产的进行,降低成品率的因素被发现并通过及时地纠正,成品率会不断上升然后达到稳定。
题目:8位乘法器
实现的功能:
- 输入为两个8位有符号数或无符号数,输出16位相乘结果
- 采用Booth算法对乘法转化为部分和求和
- 采用Wallace算法减少部分和求和时所使用的全加器数量
win11系统,EDA环境为
Quartus
,EDA软件版本为18.0
,验证板卡为DE10Lite
,波形仿真软件为Modelsim
,软件版本为SE-64 2020.4
参考教材半导体制造技术导论(第二版)——萧宏
,课程半导体材料及IC工艺原理
。
该总结是课程期末作业的一部分,边复习边总结。
该文为meishao的2024年年度总结,成文于2024年12月31日,
正值2024年跨年之际,预祝各位2025年万事如意,心想事成,阖家幸福,平平安安!
忙着做栅压自举开关这个sb项目,只学会了怎么使用软件和看论文。管子参数算不出来,非线性电路,面试时老师又问我管子怎么算,实际不就是tm一步一步从理想开关替换成mos管吗?
电科刘佳欣老师安排提前面试的的论文还没开始看,专业课还没复习,目前觉得先搁置性价比较低的栅压自举开关项目,打算开始复习专业课+做二级运放+版图。
4.11晚上被许灏老师拷打,被点醒了现实,现阶段没有做科研和项目的能力,现在唯一能做的就是坚守住那徒有虚表的课业成绩,夯实专业基础知识,科研项目就先暂且搁置吧。
办错的事情/不该做的事情:放弃参加集创赛;信号与系统、模集学得太烂;选修模集实验课;熬夜刷B站;上微电子器件课玩手机不听课,要不就自学,不听课就是纯浪费时间,导致现在进度相差较多,需花费较大时间来补。
版本更新信息如下:
博客正式上线,基于GitHubpages搭建
博客的评论系统由gittalk切换为twikoo,并且部署在Vercel平台实现CDN加速。
在pn结中记n区、p区的导带 $E_{C}$ 之差为势垒。在形成pn结之前,n区的费米能级 $E_{F}$ 靠近导带 $E_{C}$ ;p区的费米能级靠近价带 $E_{V}$ ,形成pn结后形成统一的费米能级,在能带图中即体现为一条水平线。
Q1:为什么pn结会形成统一的费米能级
A1:从能带角度理解:首先能级越低,该能级上的电子能量越高,该能级上的空穴能量越低。故形成pn结时电子从 $E_{F}$ 高的n区流向 $E_{F}$ 低的p区,相应的空穴从 $E_{F}$ 低的p区流向 $E_{F}$ 高的n区,也可以说n区电子占据导带的概率降低
;同时考虑费米能级是标志载流子分布的能级,或者从下式分析:
$$
\begin{equation}
\left{
\begin{aligned}
n_{0} & = N_{c} \exp(\frac{E_{F}-E_{C}}{k_{0}T}) \
p_{0} & = N_{v} \exp(\frac{E_{V}-E_{F}}{k_{0}T})
\end{aligned}
\right.
\end{equation}
$$
问题来源于在看
半导体物理
教材时的疑惑,经查找资料后清楚了些,故作此纪录与诸君分享。
故 a degenerate semiconductor指的是重掺杂的半导体,杂质能级形成了 impurity band,把带隙给填满了,因此材料的电导率等性质就更像金属了,即由半导体退化成金属了,故$\mathscr{MeiShao}$认为,将degenerate semiconductor 翻译为退化半导体更容易理解。
其中费米狄拉克分布函数为:
$$
\begin{align*}
f(E) = \frac{1}{1+\mathrm{exp}(\frac{E-E_{F}}{k_{0}T})}
\end{align*}
$$
本文是笔者复习
半导体材料及IC工艺原理(双语)
课程时的复习笔记,参考教材是半导体制造技术导论:第2版 (萧宏)
,授课老师是马瑶老师。
在工艺还未成熟或新引进了一组新的仪器设备时,整体的成品率不会很高。但随着生产的进行,降低成品率的因素被发现并通过及时地纠正,成品率会不断上升然后达到稳定。
题目:8位乘法器
实现的功能:
- 输入为两个8位有符号数或无符号数,输出16位相乘结果
- 采用Booth算法对乘法转化为部分和求和
- 采用Wallace算法减少部分和求和时所使用的全加器数量
win11系统,EDA环境为
Quartus
,EDA软件版本为18.0
,验证板卡为DE10Lite
,波形仿真软件为Modelsim
,软件版本为SE-64 2020.4
参考教材半导体制造技术导论(第二版)——萧宏
,课程半导体材料及IC工艺原理
。
该总结是课程期末作业的一部分,边复习边总结。
该文为meishao的2024年年度总结,成文于2024年12月31日,
正值2024年跨年之际,预祝各位2025年万事如意,心想事成,阖家幸福,平平安安!
忙着做栅压自举开关这个sb项目,只学会了怎么使用软件和看论文。管子参数算不出来,非线性电路,面试时老师又问我管子怎么算,实际不就是tm一步一步从理想开关替换成mos管吗?
电科刘佳欣老师安排提前面试的的论文还没开始看,专业课还没复习,目前觉得先搁置性价比较低的栅压自举开关项目,打算开始复习专业课+做二级运放+版图。
4.11晚上被许灏老师拷打,被点醒了现实,现阶段没有做科研和项目的能力,现在唯一能做的就是坚守住那徒有虚表的课业成绩,夯实专业基础知识,科研项目就先暂且搁置吧。
办错的事情/不该做的事情:放弃参加集创赛;信号与系统、模集学得太烂;选修模集实验课;熬夜刷B站;上微电子器件课玩手机不听课,要不就自学,不听课就是纯浪费时间,导致现在进度相差较多,需花费较大时间来补。
版本更新信息如下:
博客正式上线,基于GitHubpages搭建
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在pn结中记n区、p区的导带 $E_{C}$ 之差为势垒。在形成pn结之前,n区的费米能级 $E_{F}$ 靠近导带 $E_{C}$ ;p区的费米能级靠近价带 $E_{V}$ ,形成pn结后形成统一的费米能级,在能带图中即体现为一条水平线。
Q1:为什么pn结会形成统一的费米能级
A1:从能带角度理解:首先能级越低,该能级上的电子能量越高,该能级上的空穴能量越低。故形成pn结时电子从 $E_{F}$ 高的n区流向 $E_{F}$ 低的p区,相应的空穴从 $E_{F}$ 低的p区流向 $E_{F}$ 高的n区,也可以说n区电子占据导带的概率降低
;同时考虑费米能级是标志载流子分布的能级,或者从下式分析:
$$
\begin{equation}
\left{
\begin{aligned}
n_{0} & = N_{c} \exp(\frac{E_{F}-E_{C}}{k_{0}T}) \
p_{0} & = N_{v} \exp(\frac{E_{V}-E_{F}}{k_{0}T})
\end{aligned}
\right.
\end{equation}
$$
问题来源于在看
半导体物理
教材时的疑惑,经查找资料后清楚了些,故作此纪录与诸君分享。
故 a degenerate semiconductor指的是重掺杂的半导体,杂质能级形成了 impurity band,把带隙给填满了,因此材料的电导率等性质就更像金属了,即由半导体退化成金属了,故$\mathscr{MeiShao}$认为,将degenerate semiconductor 翻译为退化半导体更容易理解。
其中费米狄拉克分布函数为:
$$
\begin{align*}
f(E) = \frac{1}{1+\mathrm{exp}(\frac{E-E_{F}}{k_{0}T})}
\end{align*}
$$